Σπίτι > Προϊόντα > Αποτέλεσμα αναζήτησης

Αποτέλεσμα αναζήτησης

17Products Found

Εικόνα Μέγ. Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Σύντομη περιγραφή Φύλλο δεδομένων Σε απόθεμα Τιμή προϊόντος Παραγγελία Online
RJK6012DPE-00#J3 Image RJK6012DPE-00#J3 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK Κατεβάστε Θέα US$ 1.476 Ερευνα
RJK4512DPE-00#J3 Image RJK4512DPE-00#J3 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK Κατεβάστε Θέα US$ 1.532 Ερευνα
RJL5012DPE-00#J3 Image RJL5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK Κατεβάστε Θέα US$ 1.416 Ερευνα
RJL6012DPE-00#J3 Image RJL6012DPE-00#J3 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK Κατεβάστε Θέα US$ 1.59 Ερευνα
RJK5012DPE-00#J3 Image RJK5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK Κατεβάστε Θέα US$ 1.487 Ερευνα
RJL6012DPE-00-J3 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK6012DPE-00-J3 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK5012DPE-00-J3 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK4012DPE-00-J3 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK4512DPE-00-J3 RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switc IC Θέα   Ερευνα
RJK5012DPE-WSJ3 Renesas RJK5012DPE-WSJ3 Renesas SMD or Through Hole new date code and low price Θέα   Ερευνα
RJL6012DPE RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK6012DPE RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK5012DPE RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK4012DPE RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching IC Θέα   Ερευνα
RJK4512DPE RENESAS Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switc IC Θέα   Ερευνα
RJL5012DPE RENESAS RJL5012DPE RENESAS TO-263 New in stock Θέα   Ερευνα