Σύνδεση | Δημιουργήστε τον λογαριασμό μουΗλεκτρονικό ταχυδρομείο: [email protected] SKYPE: EXSHINEΛογαριασμός | Αποσυνδέση
- Αλλαξε γλώσσα
-
Επιλέξτε γλώσσα
English简体中文русский日本語한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesiaΜαταίωση
- Ο λογαριασμός μου
- Ο λογαριασμός μου Αποσυνδέση
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TPN22006NH,LQ
Φωτογραφία μόνο για αναφορά Επικοινωνήστε μαζί μας για περισσότερες εικόνες
TPN22006NH,LQ
| EXSHINE Αριθμός εξαρτήματος: | EX-TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Κατασκευαστής Αριθμός εξαρτήματος: | TPN22006NH,LQ |
| Κατασκευαστής / Μάρκα: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Σύντομη περιγραφή: | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Κατάσταση: | New and unused, Original |
| Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων: | TPN22006NH |
| Εφαρμογή: | - |
| Βάρος: | - |
| Εναλλακτική αντικατάσταση: | - |
Διαθεσιμότητα σε πραγματικό χρόνο για
TPN22006NH,LQ
Σε απόθεμα: 33795000 Τα τεμάχια μπορούν να μεταφερθούν σε 1-2 ημέρες.
Μελλοντικό απόθεμα: 12000 τεμάχια σε 7-10 ημέρες.
Κατασκευαστής Χρόνος παράδοσης: 8-10 εβδομάδες
Σε απόθεμα: 33795000 Τα τεμάχια μπορούν να μεταφερθούν σε 1-2 ημέρες.
Μελλοντικό απόθεμα: 12000 τεμάχια σε 7-10 ημέρες.
Κατασκευαστής Χρόνος παράδοσης: 8-10 εβδομάδες
- Περιγραφή
- Πληρωμή
- Αποστολή
- Συσκευασία
Παράμετρος προϊόντος
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Σειρά | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Άλλα ονόματα | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 12 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή | TPN22006NH,LQ |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Διευρυμένη περιγραφή | N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60V |
| Περιγραφή | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Οι υπολοιποι
| Βασικό Πακέτο | 3,000 |
|---|---|
| Άλλα ονόματα | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
Μπορείτε να επιλέξετε τις παρακάτω επιλογές πληρωμής. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας.
|
|
T / T (τραπεζική μεταφορά) Λήψη: 1-4 ημέρες. |
|
|
Paypal Λήψη: αμέσως. |
|
|
Δυτική Ένωση Λήψη: 1-2 ώρες. |
|
|
MoneyGram Λήψη: 1-2 ώρες. |
|
|
Alipay Λήψη: αμέσως. |
Μπορείτε να επιλέξετε τις παρακάτω επιλογές αποστολής, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας για να ελέγξετε το κόστος αποστολής στη διεύθυνσή σας.
Εάν δεν θέλετε να χρησιμοποιήσετε τη ναυτιλιακή μας υπηρεσία, μπορείτε επίσης να κανονίσετε να παραλάβετε από την αποθήκη ή το πλοίο μας το λογαριασμό σας με courier.
 |
DHL EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 1-3 ημέρες. |
 |
FEDEX EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 1-3 ημέρες. |
 |
UPS EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 2-4 ημέρες. |
 |
TNT EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 3-6 ημέρες. |
 |
EMS EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 7-10 ημέρες. |
Σχετικό προϊόν
-
ΕικόναΜέγ. Αριθμός εξαρτήματοςΚατασκευαστέςΣύντομη περιγραφήΦύλλο δεδομένωνΣε απόθεμαΤιμή προϊόντοςΠαραγγελία Online -
TPN302STTPN302 ST SOP-8 New Original StocksΘέαΕρευνα -
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.635Ερευνα -
TPN1600ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADVΚατεβάστεΘέαUS$ 0.47Ερευνα -
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.321Ερευνα -
TPN2R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 45A 8-TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.48Ερευνα -
TPN14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADVΚατεβάστεΘέαUS$ 0.326Ερευνα -
TPN3021DRLSTLow Price TPN3021DRL ST SOP-8ΘέαΕρευνα -
TPN2R304PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 40V 80A TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.272Ερευνα -
TPN1R603PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORΚατεβάστεΘέαUS$ 0.525Ερευνα -
TPN3021RLSTMicroelectronicsTHYRISTOR 28V 100A 8SOICΚατεβάστεΘέαUS$ 0.956Ερευνα -
TPN302 .STMLow Price TPN302 . STM SOP-8ΘέαΕρευνα -
TPN3021STMicroelectronicsOVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOICΚατεβάστεΘέαUS$ 1.018Ερευνα -
TPN2R503NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADVΚατεβάστεΘέαUS$ 0.545Ερευνα -
TPN11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 60V 17A 8TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.293Ερευνα -
TPN2R703NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 45A 8-TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.426Ερευνα -
TPN120NSTNew Stocks TPN120N ST SOP-8ΘέαΕρευνα -
TPN13008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 80V 40A 8TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.372Ερευνα -
TPN140227A00AMITPN140227A00 AMI QFP New in stockΘέαΕρευνα -
TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSONΚατεβάστεΘέαUS$ 0.617Ερευνα -
TPN1302ORIGINALLow Price TPN1302 ORIGINAL SMD or Through HoleΘέαΕρευνα
Διανομέας του Toshiba Semiconductor and Storage
- Η Touchstone Semiconductor Inc. δημιουργεί λύσεις αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων υψηλής απόδοσης (IC) που επιλύουν κρίσιμα ζητήματα για εταιρείες ηλεκτρονικών ειδών. Τα ιδιόκτητα προϊόντα μας προσφέρουν έναν μοναδικό συνδυασμό χαρακτηριστικών και επιδόσεων που δεν μπορούν να βρεθούν αλλού στην αναλογική αγορά. Τα προϊόντα δεύτερης προέλευσής μας είναι συμβατά με ακίδες και προδιαγραφές ταυτίζονται με τις ανταγωνιστικές προσφορές, παρέχοντας μια ιδανική εναλλακτική λύση για προϊόντα με μοναδική προέλευση τα οποία είναι δύσκολο να προστατευθούν. Η εταιρεία Touchstone ιδρύθηκε το 2010 με έδρα τη Milpitas, στην Καλιφόρνια. Οι επενδυτές της περιλαμβάνουν το Opus Capital και το Khosla Ventures.
Η αποστολή μας στο Touchstone Semiconductor είναι να σχεδιάζουμε δροσερά αναλογικά ICs υψηλής απόδοσης που σας βοηθούν να λύσετε τα προβλήματα των πελατών σας. Αυτό γίνεται με την ανάπτυξη αναλογικών IC υψηλής απόδοσης εξαιρετικά χαμηλής ισχύος που μειώνουν την κατανάλωση ενέργειας στα προϊόντα σας.