Σύνδεση | Δημιουργήστε τον λογαριασμό μουΗλεκτρονικό ταχυδρομείο: [email protected] SKYPE: EXSHINEΛογαριασμός | Αποσυνδέση
- Αλλαξε γλώσσα
-
Επιλέξτε γλώσσα
English简体中文русский日本語한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesiaΜαταίωση
- Ο λογαριασμός μου
- Ο λογαριασμός μου Αποσυνδέση
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - διπολική (BJT) - RF > HN3C10FUTE85LF
Φωτογραφία μόνο για αναφορά Επικοινωνήστε μαζί μας για περισσότερες εικόνες
HN3C10FUTE85LF
| EXSHINE Αριθμός εξαρτήματος: | EX-HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Κατασκευαστής Αριθμός εξαρτήματος: | HN3C10FUTE85LF |
| Κατασκευαστής / Μάρκα: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Σύντομη περιγραφή: | TRANSISTOR NPN US6 |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Κατάσταση: | New and unused, Original |
| Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων: | HN3C10FUTE85LF |
| Εφαρμογή: | - |
| Βάρος: | - |
| Εναλλακτική αντικατάσταση: | - |
Διαθεσιμότητα σε πραγματικό χρόνο για
HN3C10FUTE85LF
Σε απόθεμα: 30130000 Τα τεμάχια μπορούν να μεταφερθούν σε 1-2 ημέρες.
Μελλοντικό απόθεμα: 12000 τεμάχια σε 7-10 ημέρες.
Κατασκευαστής Χρόνος παράδοσης: 8-10 εβδομάδες
Σε απόθεμα: 30130000 Τα τεμάχια μπορούν να μεταφερθούν σε 1-2 ημέρες.
Μελλοντικό απόθεμα: 12000 τεμάχια σε 7-10 ημέρες.
Κατασκευαστής Χρόνος παράδοσης: 8-10 εβδομάδες
- Περιγραφή
- Πληρωμή
- Αποστολή
- Συσκευασία
Παράμετρος προϊόντος
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 12V |
|---|---|
| transistor Τύπος | 2 NPN (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | US6 |
| Σειρά | - |
| Ισχύς - Max | 200mW |
| Συσκευασία | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Άλλα ονόματα | HN3C10FUTE85LFCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | - |
| Θόρυβος Σχήμα (dB Τύπος @ στ) | 1.1dB @ 1GHz |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή | HN3C10FUTE85LF |
| Κέρδος | 11.5dB |
| Συχνότητα - Μετάβαση | 7GHz |
| Διευρυμένη περιγραφή | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| Περιγραφή | TRANSISTOR NPN US6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 80mA |
Οι υπολοιποι
| Άλλα ονόματα | HN3C10FUTE85LFCT |
|---|---|
| Βασικό Πακέτο | 1 |
Μπορείτε να επιλέξετε τις παρακάτω επιλογές πληρωμής. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας.
|
|
T / T (τραπεζική μεταφορά) Λήψη: 1-4 ημέρες. |
|
|
Paypal Λήψη: αμέσως. |
|
|
Δυτική Ένωση Λήψη: 1-2 ώρες. |
|
|
MoneyGram Λήψη: 1-2 ώρες. |
|
|
Alipay Λήψη: αμέσως. |
Μπορείτε να επιλέξετε τις παρακάτω επιλογές αποστολής, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας για να ελέγξετε το κόστος αποστολής στη διεύθυνσή σας.
Εάν δεν θέλετε να χρησιμοποιήσετε τη ναυτιλιακή μας υπηρεσία, μπορείτε επίσης να κανονίσετε να παραλάβετε από την αποθήκη ή το πλοίο μας το λογαριασμό σας με courier.
 |
DHL EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 1-3 ημέρες. |
 |
FEDEX EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 1-3 ημέρες. |
 |
UPS EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 2-4 ημέρες. |
 |
TNT EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 3-6 ημέρες. |
 |
EMS EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 7-10 ημέρες. |
Σχετικό προϊόν
-
ΕικόναΜέγ. Αριθμός εξαρτήματοςΚατασκευαστέςΣύντομη περιγραφήΦύλλο δεδομένωνΣε απόθεμαΤιμή προϊόντοςΠαραγγελία Online -
HN3C10FTTOSHIBAVHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS ICΘέαΕρευνα -
HN3C12FUTOSHIBANPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICΘέαΕρευνα -
HN3C11FTOSHIBANPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICΘέαΕρευνα -
HN3C10FU TE85LTOSHIBAHN3C10FU TE85L TOSHIBA SOT363 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C12FU TE85L(WN)TOSHIBAHN3C12FU TE85L(WN) TOSHIBA SOT363 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C12FU(TE85L)TOSHIBAHN3C12FU(TE85L) TOSHIBA SOT-363 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C10FUTOSHIBANPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICΘέαΕρευνα -
HN3C12FTTOSHN3C12FT TOS SOT New Original StocksΘέαΕρευνα -
HN3C10FU/WLORIGINALHN3C10FU/WL ORIGINAL SOT-363 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C12FU TEL:82766440TOSHIBAHN3C12FU TEL:82766440 TOSHIBA SOT-363 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C10FT/WLTOSHIBAHN3C10FT/WL TOSHIBA SOT363 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C12FTOSHIBANPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICΘέαΕρευνα -
HN3C10FU(TE85L)TOSHIBAHN3C10FU(TE85L) TOSHIBA SOT363 New Original StocksΘέαΕρευνα -
HN3C12FT(TE85L)TOSHIBAHN3C12FT(TE85L) TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C10FU(TE85LTOSHHN3C10FU(TE85L TOSH SSOP6 New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C10FTTE85LTOSHIBAHN3C10FTTE85L TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C10FETOSHIBANew Stocks HN3C10FE TOSHIBA ES6ΘέαΕρευνα -
HN3C10F/WLTOSHIBAHN3C10F/WL TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockΘέαΕρευνα -
HN3C11FUTOSHIBANPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICΘέαΕρευνα -
HN3C12TOSHIBANPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICΘέαΕρευνα
Διανομέας του Toshiba Semiconductor and Storage
- Η Touchstone Semiconductor Inc. δημιουργεί λύσεις αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων υψηλής απόδοσης (IC) που επιλύουν κρίσιμα ζητήματα για εταιρείες ηλεκτρονικών ειδών. Τα ιδιόκτητα προϊόντα μας προσφέρουν έναν μοναδικό συνδυασμό χαρακτηριστικών και επιδόσεων που δεν μπορούν να βρεθούν αλλού στην αναλογική αγορά. Τα προϊόντα δεύτερης προέλευσής μας είναι συμβατά με ακίδες και προδιαγραφές ταυτίζονται με τις ανταγωνιστικές προσφορές, παρέχοντας μια ιδανική εναλλακτική λύση για προϊόντα με μοναδική προέλευση τα οποία είναι δύσκολο να προστατευθούν. Η εταιρεία Touchstone ιδρύθηκε το 2010 με έδρα τη Milpitas, στην Καλιφόρνια. Οι επενδυτές της περιλαμβάνουν το Opus Capital και το Khosla Ventures.
Η αποστολή μας στο Touchstone Semiconductor είναι να σχεδιάζουμε δροσερά αναλογικά ICs υψηλής απόδοσης που σας βοηθούν να λύσετε τα προβλήματα των πελατών σας. Αυτό γίνεται με την ανάπτυξη αναλογικών IC υψηλής απόδοσης εξαιρετικά χαμηλής ισχύος που μειώνουν την κατανάλωση ενέργειας στα προϊόντα σας.