Σύνδεση | Δημιουργήστε τον λογαριασμό μουΗλεκτρονικό ταχυδρομείο: [email protected] SKYPE: EXSHINEΛογαριασμός | Αποσυνδέση
- Αλλαξε γλώσσα
-
Επιλέξτε γλώσσα
English简体中文русский日本語한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesiaΜαταίωση
- Ο λογαριασμός μου
- Ο λογαριασμός μου Αποσυνδέση
Φωτογραφία μόνο για αναφορά Επικοινωνήστε μαζί μας για περισσότερες εικόνες
MURTA20060
| EXSHINE Αριθμός εξαρτήματος: | EX-MURTA20060 |
|---|---|
| Κατασκευαστής Αριθμός εξαρτήματος: | MURTA20060 |
| Κατασκευαστής / Μάρκα: | GeneSiC Semiconductor |
| Σύντομη περιγραφή: | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Κατάσταση: | New and unused, Original |
| Κατεβάστε το δελτίο δεδομένων: | MURTA20060 thru MURTA200120R |
| Εφαρμογή: | - |
| Βάρος: | - |
| Εναλλακτική αντικατάσταση: | - |
Διαθεσιμότητα σε πραγματικό χρόνο για
MURTA20060
Σε απόθεμα: 84610 Τα τεμάχια μπορούν να μεταφερθούν σε 1-2 ημέρες.
Μελλοντικό απόθεμα: 12000 τεμάχια σε 7-10 ημέρες.
Κατασκευαστής Χρόνος παράδοσης: 8-10 εβδομάδες
Σε απόθεμα: 84610 Τα τεμάχια μπορούν να μεταφερθούν σε 1-2 ημέρες.
Μελλοντικό απόθεμα: 12000 τεμάχια σε 7-10 ημέρες.
Κατασκευαστής Χρόνος παράδοσης: 8-10 εβδομάδες
- Περιγραφή
- Πληρωμή
- Αποστολή
- Συσκευασία
Παράμετρος προϊόντος
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 1.7V @ 100A |
|---|---|
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | Three Tower |
| Ταχύτητα | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά | - |
| Συσκευασία | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση | Three Tower |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος | Chassis Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 4 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή | MURTA20060 |
| Διευρυμένη περιγραφή | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Diode Τύπος | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος | 1 Pair Common Cathode |
| Περιγραφή | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 25µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode) | 100A |
Οι υπολοιποι
| Βασικό Πακέτο | 18 |
|---|
Μπορείτε να επιλέξετε τις παρακάτω επιλογές πληρωμής. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας.
|
|
T / T (τραπεζική μεταφορά) Λήψη: 1-4 ημέρες. |
|
|
Paypal Λήψη: αμέσως. |
|
|
Δυτική Ένωση Λήψη: 1-2 ώρες. |
|
|
MoneyGram Λήψη: 1-2 ώρες. |
|
|
Alipay Λήψη: αμέσως. |
Μπορείτε να επιλέξετε τις παρακάτω επιλογές αποστολής, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας για να ελέγξετε το κόστος αποστολής στη διεύθυνσή σας.
Εάν δεν θέλετε να χρησιμοποιήσετε τη ναυτιλιακή μας υπηρεσία, μπορείτε επίσης να κανονίσετε να παραλάβετε από την αποθήκη ή το πλοίο μας το λογαριασμό σας με courier.
 |
DHL EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 1-3 ημέρες. |
 |
FEDEX EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 1-3 ημέρες. |
 |
UPS EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 2-4 ημέρες. |
 |
TNT EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 3-6 ημέρες. |
 |
EMS EXPRESS Χρόνος παράδοσης: 7-10 ημέρες. |
Σχετικό προϊόν
-
ΕικόναΜέγ. Αριθμός εξαρτήματοςΚατασκευαστέςΣύντομη περιγραφήΦύλλο δεδομένωνΣε απόθεμαΤιμή προϊόντοςΠαραγγελία Online -
MURT40060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 400A 3TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 69.359Ερευνα -
MURTA20020GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA30020RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA30040GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURT40040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 400A 3TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 83.77Ερευνα -
MURTA300120GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA200120GeneSiC SemiconductorDIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA300120RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA200120RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA20060RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURT40060RGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 400A 3TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 69.359Ερευνα -
MURT40040RGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 400A 3TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 69.359Ερευνα -
MURTA30060GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA30040RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA20020RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA20040RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA30020GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA30060RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA20040GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα -
MURTA400120GeneSiC SemiconductorDIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWERΚατεβάστεΘέαUS$ 75.144Ερευνα
Διανομέας του GeneSiC Semiconductor
- Η Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), που ιδρύθηκε το 2007, είναι μια ολοκληρωμένη εταιρία ανάπτυξης και κατασκευής προϊόντων που βασίζεται σε τεχνολογίες καρβιδίου του πυριτίου (SiC). Τα προϊόντα αυτά θα είναι θεμελιώδη για τις βιομηχανίες ηλεκτρονικών ισχύος και ενέργειας κατά τα επόμενα έτη, όπου απαιτούνται προηγμένες τεχνολογίες για χαμηλού κόστους, υψηλής αποδοτικότητας παραγωγή, μετατροπή και μετάδοση ενέργειας.